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CDF56G6511N TR13 PBFREE

型號描述:
氮化鎵場效應管 650V, 11A, N-Channel GaN FET
型號:
CDF56G6511N TR13 PBFREE
品牌:
Central Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
1+NT$218.572
10+NT$145.951
100+NT$104.858
500+NT$94.939
1000+NT$91.396
2500+NT$77.226
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$218.572 數量:

合計: NT$219

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 3.9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 12.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7V, -1.4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
96 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.1W (Ta), 84W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Supplier Device Package
8-DFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
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